FT-UH Gelar IEEE Semiconductor Lecture Series, Bahas Solusi Scaling CMOS Masa Depan

Gowa, 13 Mei 2026 – Departemen Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Hasanuddin (FT-UH) sukses menyelenggarakan kegiatan IEEE Distinguished Lecture – Semiconductor Lecture Series yang berlangsung secara hybrid di Lecture Theater I (LT I), CSA Building FT-UH serta melalui platform Zoom Meeting. Kegiatan ini diikuti oleh dosen, mahasiswa dan peserta umum yang memiliki ketertarikan pada bidang teknologi semikonduktor dan perangkat elektronik modern.

Kegiatan menghadirkan narasumber internasional, Prof. Mansun J. Chan dari Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), yang membawakan topik bertajuk “The Journey of MOSFET: From Planar to Stacked 3D Transistors.”

Acara turut dihadiri oleh Prof. Dr.-Ing. Ir. Faizal Arya Samman, ST, MT, IPU, AseanEng, ACPE. selaku Kepala Departemen Teknik Elektro Universitas Hasanuddin sekaligus Lecture Chair pada kegiatan tersebut. Dalam kesempatan ini, welcoming speech yang mewakili Rektor Universitas Hasanuddin, Prof. Dr. Ir. Jamaluddin Jompa, M.Sc., disampaikan oleh Prof. Dr.-Ing. Faizal A. Samman.

Dalam sambutannya, Prof. Faizal menekankan pentingnya penguatan kerja sama internasional dalam mendukung pengembangan riset dan inovasi di bidang teknologi semikonduktor, khususnya dalam menghadapi perkembangan industri elektronik dan kecerdasan buatan yang semakin pesat. Ia juga menyampaikan bahwa kegiatan akademik internasional seperti IEEE Distinguished Lecture menjadi wadah strategis untuk memperluas wawasan mahasiswa dan peneliti terhadap perkembangan teknologi terkini di tingkat global.

Pada sesi utama, Prof. Mansun J. Chan membahas evolusi teknologi MetalOxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET), mulai dari struktur planar konvensional hingga perkembangan stacked 3D transistor yang menjadi fondasi teknologi semikonduktor generasi berikutnya.

Beliau menjelaskan berbagai tantangan yang muncul seiring dengan penyusutan dimensi transistor, seperti short-channel effects dan peningkatan konsumsi daya, yang kemudian mendorong lahirnya teknologi FinFET sebagai solusi arsitektur tiga dimensi untuk meningkatkan kontrol elektrostatik dan skalabilitas perangkat. Selain itu, Prof. Chan juga memaparkan perkembangan terbaru terkait stacked 3D transistors dan Complementary FET (CFET) technology sebagai solusi potensial untuk melanjutkan scaling CMOS di bawah node teknologi 2nm. Materi yang disampaikan mencakup prinsip desain, teknik fabrikasi, serta keunggulan teknologi tersebut dalam meningkatkan performa, kepadatan transistor, dan efisiensi energi perangkat elektronik modern.

Sebagai salah satu pakar terkemuka di bidang perangkat semikonduktor, Prof. Chan juga membagikan pengalaman penelitiannya dalam pengembangan BSIM model untuk SPICE yang telah menjadi standar industri, serta kontribusinya dalam demonstrasi teknologi Stacked CFET pertama di dunia.

Kegiatan berlangsung secara interaktif melalui sesi diskusi dan tanya jawab, di mana peserta menunjukkan antusiasme tinggi dalam mendalami isu-isu terkait teknologi transistor masa depan, fabrikasi semikonduktor, dan tantangan pengembangan perangkat elektronik generasi lanjut.

Melalui penyelenggaraan kegiatan ini, Departemen Teknik Elektro FT-UH kembali menunjukkan komitmennya dalam menghadirkan forum akademik internasional yang berkualitas serta mendukung penguatan kapasitas sumber daya manusia di bidang semikonduktor, mikroelektronika, dan teknologi cerdas.

Diharapkan kegiatan ini dapat memberikan wawasan dan inspirasi bagi peserta dalam mengembangkan riset dan inovasi, sekaligus memperkuat jejaring kolaborasi akademik dan industri di tingkat nasional maupun internasional.